|
Pamięci Ramtron FRAM o pojemności 2Mbit |
|
|
|
|
Redaktor: Elektronika.org.pl
|
|
15.01.2008. |
 Ramtron International wprowadza do oferty nową rodzinę pamięci FRAM produkowanych w technologii CMOS 130nm charakteryzujących się pojemnością 2Mbit (128k x 16). Są to pamięci z interfejsem równoległym, pracujące z napięciem zasilania 3V i zamykane w 44-wyprowadzeniowych obudowach TSOP-II zgodnych z wymogami dyrektywy RoHS. W odróżnieniu od innych rodzajów pamięci nieulotnych ilość cykli zapisu/kasowania jest tu właściwie nieograniczona (>100 trylionów cykli zapisu).
Okres przechowywania danych w matrycy wynosi minimum 10 lat. Dodatkowe zalety to krótki czas dostępu (55ns), brak opóźnień przy zapisie (czas cyklu 110ns) i mały pobór mocy. W szybkim trybie stronicowania maksymalna prędkość transmisji danych wynosi 80MB/s. Pod względem rozkładu wyprowadzeń nowe układy serii FM21L16 są zgodne z asynchronicznymi pamięciami SRAM. Stanowią tańszą alternatywę dla pamięci MRAM, BBSRAM (SRAM z podtrzymaniem bateryjnym) i NVSRAM. Udostępniają funkcję blokady zapisu zapobiegającą przypadkowej utracie danych. Pobór prądu jest mniejszy niż w standardowych pamięciach SRAM i wynosi 10mA w trybie odczytu i zapisu oraz 5μA w trybie sleep. Zakres temperatur pracy rozciąga się od -40°C do +85°C. więcej informacji (ang.): ramtron.com |
